特許
J-GLOBAL ID：200903033417399870

GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
リ, ジョン ラム

リ, ジョン ラム について


出願人/特許権者：
ソウル オプト-デバイス カンパニー リミテッド

ソウル オプト-デバイス カンパニー リミテッド について

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ポステック ファウンデーション

ポステック ファウンデーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-537803
公開番号（公開出願番号）：特表2008-518436
出願日： 2005年10月21日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
本発明は、GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関し、金属保護膜層と金属支持層により水平型発光素子の特性を高めることのできる垂直型GaN発光素子を提供する。本発明は、垂直型GaN-LEDの側面及び/または下面に10ミクロン以上の厚い金属保護膜層を形成して外部の衝撃から素子を保護することができ、チップ分離を容易に行うことができる他、サファイア基板の代わりに金属基板を用いて素子動作時に生じる熱放出を容易に行うことができることから、高出力素子に用いて好適であり、しかも、光出力特性が向上した素子を製造することができ、金属支持層を形成してチップの分離時に素子が歪んだり衝撃により損傷されたりするような現象を防ぐことができ、p型電極をp-GaN上に網目状に部分的に形成して活性層において形成した光子がn-GaN層に向かって放射されることを極大化させることができる。【選択図】 図58
請求項（抜粋）：
金属支持層と、 前記金属支持層の上に形成されたp型反射膜電極と、 前記p型反射膜電極の上にこの順序に積層形成されたp型半導体層、活性層、及びn型半導体層と、 前記n型半導体層の上に形成されたn型電極とを備えることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 E
Fターム (14件)：
5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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