特許
J-GLOBAL ID：200903077947666213
窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
豊栖 康弘
, 石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-256884
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095959
出願日： 2002年09月02日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】側面における短絡を防止することができる窒化物半導体発光素子の構造を提供する。【解決手段】n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間に、窒化物半導体からなる発光層を有してなる窒化物半導体発光素子において、p型窒化物半導体層と発光層を含むように台形錐形状の積層体が形成され、その積層体は側面が絶縁されるように金属部材に埋め込まれている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間に、窒化物半導体からなる発光層を有してなる窒化物半導体発光素子において、
少なくとも上記p型窒化物半導体層と上記発光層を含むように台形錐形状の積層体が形成され、該積層体は側面が絶縁されるように金属部材に埋め込まれたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA25
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CB04
, 5F041CB15
, 5F041CB36
審査官引用 (10件)
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特開昭57-028380
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特開昭62-005674
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発光素子および発光素子の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-153499
出願人：日亜化学工業株式会社
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