特許

J-GLOBAL ID：200903033417477978

太陽電池薄膜の作製方法

発明者： 仁木 栄 ,  山田 昭政 ,  ポール フォンス ,  大柳 宏之
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-287494
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114561
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 薄膜中に作製される点欠陥(複空孔)や双晶等の積層欠陥の生成を抑制して高品質化を図り、しかも低温化、作製手法の単純化を図る。【解決手段】 真空槽内7内に、裏面電極3の形成されたガラス基板2を配設し、このガラス基板2の裏面電極3上に、Cu、In、Ga、Se、S をその供給源8から、蒸着又はスパッタリングしてCuα(InxxGa1-x)β(SeyS1-y)γ薄膜4を形成する。この際、同時に水蒸気をその供給源9からガラス基板2の裏面電極3上に照射して、水又は水酸基を供給し、薄膜作成中に発生するアニオン空孔を酸素で埋め、アニオン空孔及びカチオンーアニオンの複空孔の生成を抑制してアニオン空孔と相関のある双晶の密度を低減する。

請求項（抜粋）：

基板上に電極を介してCuα(InxxGa1-x)β(SeyS1-y)γ薄膜を形成する太陽電池薄膜の作製方法において、上記基板上に電極を介してCu、In、Ga、Se、Sを供給してCuα(InxxGa1-x)β(SeyS1-y)γ薄膜を形成する際に、水又は水酸基を同時に供給することにより、点欠陥又は積層欠陥・双晶のないCuα(InxxGa1-x)β(SeyS1-y)γ薄膜を形成することを特徴とする太陽電池薄膜の作製方法。ここで、0≦x≦1、0≦y≦1、 α、β、γは、夫々任意の整数である。

Fターム (10件)：

5F051AA09 ,  5F051AA10 ,  5F051BA17 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-268335
  
• 特開平1-160060
  
• 金属カルコゲナイド膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-275571   出願人：旭化成工業株式会社