特許

J-GLOBAL ID：200903033423876205

プラズマエッチング方法

発明者： 縄田 誠 ,  田村 智行 ,  薬師寺 守
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-144900
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335313
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】エッチング処理の後に行うアッシングでのレジスト残りを防止するのに好適なプラズマエッチング方法を提供することにある。【解決手段】エッチング終了後、ウエハ毎にフッ素を含むガスのプラズマによる処理を行い,さらに水素あるいはホウ素を含む塩素化合物ガスの単独または水素(H)あるいはホウ素(B)を含む塩素化合物ガスと塩素ガス(Cl2)の混合ガスのプラズマによる処理を行いエッチング時にレジスト及び配線パターンの側壁に堆積した反応生成物を除去する。

請求項（抜粋）：

エッチングガスを導入してプラズマ化し,該プラズマにより被エッチング材料及びマスク材からなる試料をエッチングするプラズマエッチング装置において,エッチング終了後にマスク材料及び被エッチング材料の側壁に付着したエッチング反応生成物を除去する処理を行うを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H01L 21/302 N ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/88 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-255787   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭64-086521
  
• 特開平3-062520