特許

J-GLOBAL ID：200903033427558747

半導体集積回路

発明者： 白井 豊 ,  久田 俊記 ,  鯉沼 弘之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205188
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069691
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】DC的にも過渡的にも安定した中間電位を供給できる半導体集積回路を提供することを目的としている。【構成】NMOSトランジスタN11のゲートには基準電位が与えられ、ソースには出力ノードL1が接続される。このトランジスタN11のドレインと電源Vccとの間には負荷素子P12が設けられる。インバータ回路I11、I12は、トランジスタN11のドレイン電位をPMOSトランジスタP13のゲートに順次反転して転送する。トランジスタP13のソースは電源Vccに接続され、ドレインは出力ノードに接続される。出力ノードの電位が参照電位より低下すると、トランジスタP13がインバータ回路の出力が反転するまで活性化されて出力ノードを大きな電流で充電することを特徴とする。これによって、中間電位の変動が小さい過渡的な変動に対して応答性が高く、安定な中間電位が得られる。

請求項（抜粋）：

基準電位を発生する基準電位発生手段と、ゲートが上記基準電位発生手段の出力端に接続され、ソースが出力ノードに接続された第1導電型の第1MOSトランジスタと、第1の電位供給源と上記第1MOSトランジスタのドレインとの間に設けられた第1の負荷手段と、上記第1MOSトランジスタと上記第1の負荷手段との接続点の論理状態を転送する転送手段と、ソースが上記第1の電位供給源に接続され、ドレインが上記出力ノードに接続され、ゲートに上記転送手段の出力が供給される第2導電型の第2MOSトランジスタとを具備し、上記出力ノードから上記第1の電位供給源の電位に基づく中間電位を出力することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

G11C 11/407 ,  G05F 3/24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 中間電位発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-130980   出願人：株式会社東芝
• 基準電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-299491   出願人：日本電気株式会社