特許

J-GLOBAL ID：200903033436873221

半導体装置及びその作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065321
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232236
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【目的】 珪素の結晶化を助長する金属元素を利用した結晶性珪素膜中の金属元素の濃度を減少させる。【構成】 OHを50ppm〜2000ppm含み、塩素を10ppm〜1000ppm含んだガラス基板を用い、プロセス温度を640°C〜980°Cとしてニッケルを利用して結晶性珪素膜を形成する。また、得られた結晶性珪素膜に対して、先のプロセス温度の範囲内で熱酸化膜106を形成する。この際、雰囲気中にHClを添加する。この熱酸化膜106中には塩素の作用によりニッケル元素がゲッタリングされる。次に熱酸化膜106を除去する。こうすることで、低い金属元素の濃度で高い結晶性を有する結晶性珪素膜107を得ることができる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶性珪素膜を形成する工程を有し、該工程は最高プロセス温度が650°Cを越えて1000°C未満であり、かつそのプロセス時間が1時間以上であり、前記ガラス基板はOHを50ppm〜2000ppmの濃度で含み、前記ガラス基板は塩素を10ppm〜1000ppmの濃度で含み、前記ガラス基板は歪点が650°C〜1000°Cの範囲にあることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 X ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-238505   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特公平4-020853