半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-238505
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131034
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】特性の優れた結晶性珪素膜を得る。【構成】非晶質珪素膜を熱アニール等の手段によって結晶化させ、必要によっては、これを島状にパターニング・エッチングした後、可視光線もしくは近赤外線等の波長の強光を照射することによって、短時間で珪素膜の結晶性を向上させ、緻密化する。

請求項（抜粋）：

近赤外線または可視光線を0.1〜10%吸収するガラス基板上に非単結晶珪素膜を形成する第1の工程と、前記非単結晶珪素膜を結晶化せしめる第2の工程と、前記非単結晶珪素膜を島状にパターニングする第3の工程と、該工程にひき続いて強光の照射によって結晶化を助長させる第4の工程と、を有する半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/26 , H01L 21/265 , H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/26 L , H01L 21/265 A

引用特許：

審査官引用 (12件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-317848 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-218640
特開平3-022540

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