特許
J-GLOBAL ID：200903033443841246

電磁デバイス

発明者：
越前谷 大介

越前谷 大介 について

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坂本 博夫

坂本 博夫 について

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中林 弘一

中林 弘一 について

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西尾 直樹

西尾 直樹 について

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青木 普道

青木 普道 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-192619
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021836
出願日： 2006年07月13日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】磁性体コアのクラック発生を抑制する。【解決手段】脆性材料で構成された磁性体2を所定の高さのギャップ層4を介して接着対象3に接合する接合構造を備えた電磁デバイスであって、上記接合構造は、接着剤6により上記磁性体2と上記接着対象3とを接着すると共に、上記接着剤6の内部に柱状スペーサー51を、上記接着剤6の外周部に、上記柱状スペーサー51より剛性が低い枠状スペーサー52を配置して、上記ギャップ層4の高さを規定する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
脆性材料で構成された磁性体を所定の高さのギャップ層を介して接着対象に接合する接合構造を備えた電磁デバイスであって、上記接合構造は、接着剤により上記磁性体と上記接着対象とを接着すると共に、上記接着剤の内部に柱状スペーサーを、上記接着剤の外周部に、上記柱状スペーサーより剛性が低い枠状スペーサーを配置して、上記ギャップ層の高さを規定する構成であることを特徴とする電磁デバイス。
IPC (2件)：
H01F 27/24 ,  H01F 27/26
FI (3件)：
H01F27/24 H ,  H01F27/26 Q ,  H01F27/24 Q
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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