特許

J-GLOBAL ID：200903033474260144

層状結晶構造酸化物およびそれを用いたメモリ素子

発明者： 町田 暁夫 ,  長沢 直美 ,  網 隆明 ,  鈴木 真之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076154
公開番号（公開出願番号）：特開平10-273395
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 抗電界の低い層状結晶構造酸化物を提供する。【解決手段】 〔Bi2+a O2 〕2+〔Me(m-1)(1+b)Rm O3m+1+c〕2-の組成式で表される層状結晶構造酸化物。Meは第1の元素でNa,K,Ca,Ba,Sr,PbおよびBiのうちの少なくとも1種、Rは第2の元素でFe,Ti,Nb,TaおよびWのうちの少なくとも1種である。a,b,cは化学量論的な組成からのずれを表す変数、mは2〜5の整数である。第2の元素(R)に対するBiの組成比(2+a)/mは化学量論的な組成比2/mよりも大きい。第1の元素(Me)に対するBiの組成比(2+a)/(m-1)(1+b)は化学量論的な組成比2/(m-1)の近傍±0.17/(m-1)の範囲内である。このような組成の層状結晶構造酸化物は他の組成のものよりも抗電界が低い。

請求項（抜粋）：

ビスマス(Bi)と第1の元素と第2の元素と酸素(O)とからなると共に、第1の元素はナトリウム(Na),カリウム(K),カルシウム(Ca),バリウム(Ba),ストロンチウム(Sr),鉛(Pb)およびビスマス(Bi)からなる群のうちの少なくとも1種でありかつ第2の元素は鉄(Fe),チタン(Ti),ニオブ(Nb),タンタル(Ta)およびタングステン(W)からなる群のうちの少なくとも1種である層状結晶構造酸化物であって、第2の元素に対するビスマスの組成比が化学量論的な組成比よりも大きいことを特徴とする層状結晶構造酸化物。

IPC (9件)：

C30B 29/22 ,  C30B 29/68 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

C30B 29/22 D ,  C30B 29/68 ,  H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 層状超格子物質を作製し、それを含む電子デバイスを作製する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-511140   出願人：シメトリックス・コーポレーション, オリンパス光学工業株式会社
• Bi系強誘電体薄膜形成用組成物並びにBi系強誘電体薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-173438   出願人：三菱マテリアル株式会社

審査官引用 (2件)

• 層状超格子物質を作製し、それを含む電子デバイスを作製する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-511140   出願人：シメトリックス・コーポレーション, オリンパス光学工業株式会社
• Bi系強誘電体薄膜形成用組成物並びにBi系強誘電体薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-173438   出願人：三菱マテリアル株式会社