特許

J-GLOBAL ID：200903033495203825

半導体レーザ装置

発明者： 内藤 浩樹 ,  粂 雅博 ,  伊藤 国雄
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-279907
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132607
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 光ディスク等の光源として用いる780nm帯で発振する低動作電流値の半導体レーザ装置を提供する。【構成】 n型のGa0.85Al0.15As活性層4の主面の少なくとも一方の側にp型のGa0.5Al0.5As第1光ガイド層5およびp型のIn0.5Ga0.5P第2光ガイド層6が形成されており、第2光ガイド層6の上にストライプ状の窓7aを有するn型のGa0.4Al0.6As電流ブロック層7が形成されており、ストライプ状の窓7aにはp型のGa0.5Al0.5Asクラッド層9が形成されている。

請求項（抜粋）：

Ga1-XAlXAs活性層の主面の少なくとも一方の側に一導電型のGa1-Y1AlY1As第1光ガイド層およびIn0.5Ga0.5P第2光ガイド層が形成されており、前記第2光ガイド層の上にストライプ状の窓を有する逆導電型のGa1-ZAlZAs電流ブロック層が形成されており、前記ストライプ状の窓には一導電型のGa1-Y2AlY2Asクラッド層が形成されており、かつAlAs混晶比を決めるX、Y1、Y2およびZの間にZ>Y2>X≧0、Z>Y1の関係を有する半導体レ-ザ装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-213181
  
• 特開昭60-110188
  
• 特開昭60-147119
  
• 特開昭62-176183
  
• 半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-248573   出願人：ソニー株式会社