特許
J-GLOBAL ID：200903033500332299

半導体装置及び複合酸化物薄膜の製造方法

発明者：
間部 謙三

間部 謙三 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245491
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077108
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 ゲート長0.05μm世代の半導体トランジスタのゲート絶縁膜及びゲート長0.13μm世代の半導体メモリの容量絶縁膜等に用いて好適な複合酸化物結晶薄膜を含む半導体装置、及び複合酸化物薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置に、タンタル-タングステン複合酸化物結晶薄膜、タンタル-モリブデン複合酸化物結晶薄膜、またはそれらにシリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン窒化膜のいずれかを積層した積層膜からなる絶縁膜を用いる。タンタル-タングステン複合酸化物薄膜は、混合されたタンタルを含む第1の原料ガス、タングステンを含む第2の原料ガス、及び酸化剤の雰囲気中で基板上に成膜する。タンタル-タングステン複合酸化物結晶薄膜及びタンタル-モリブデン複合酸化物結晶薄膜の高誘電率化のために(001)配向のRu基板上に複合酸化物結晶薄膜を成膜し、N2Oプラズマ中で熱処理し、急速熱窒化する。
請求項（抜粋）：
絶縁膜にタンタル-タングステン複合酸化物結晶薄膜を含む半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 21/316 ,  C01G 41/00 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 312 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78
FI (15件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 T ,  H01L 21/316 Y ,  C01G 41/00 A ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 312 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (122件)：
4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD42 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF16 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC12 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F040ED05 ,  5F040EF02 ,  5F040EK05 ,  5F040EL02 ,  5F040FA02 ,  5F040FB02 ,  5F040FC01 ,  5F040FC10 ,  5F040FC28 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CA15 ,  5F045DC51 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045EK01 ,  5F045HA16 ,  5F058BA09 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BF55 ,  5F058BF59 ,  5F058BF62 ,  5F058BF71 ,  5F058BF78 ,  5F058BH01 ,  5F058BH03 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD27 ,  5F103DD28 ,  5F103GG02 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103LL08 ,  5F103LL14 ,  5F103NN01 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5G303AA07 ,  5G303AB01 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB33 ,  5G303CB37 ,  5G303CB43
引用特許：
審査官引用 (7件)
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