特許

J-GLOBAL ID：200903020001554391

層状強誘電体薄膜及びその形成方法、並びに半導体メモリセル用キャパシタ及びその作製方法

発明者： 田中 均洋 ,  香取 健二 ,  渡部 浩司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341305
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189894
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】少ない熱負荷で優れた結晶性を有する層状強誘電体薄膜を形成する方法を提供する。【解決手段】層状強誘電体薄膜の形成方法は、アモルファス相を有する薄膜に所定の温度Tにて熱処理(時間t)を施して、フルオライト類似結晶構造を経由して層状構造強誘電体薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

アモルファス相を有する薄膜に所定の温度にて熱処理を施して、フルオライト類似結晶構造を経由して層状構造を有する強誘電体薄膜を形成することを特徴とする層状強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (9件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ビスマス層状化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-074107   出願人：ソニー株式会社
• 強誘電体結晶薄膜被覆基板、その製造方法及び強誘電体結晶薄膜被覆基板を用いた強誘電体薄膜デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-350258   出願人：シャープ株式会社
• ビスマス層状化合物薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-060284   出願人：オリンパス光学工業株式会社