特許
J-GLOBAL ID：200903033512049304

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
北山 加奈子

北山 加奈子 について

, 
浅井 優幸

浅井 優幸 について

, 
堀井 貞義

堀井 貞義 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-360873
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129579
出願日： 2003年10月21日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】成膜原料の無駄をできる限りなくすことのできる基板処理装置および半導体装置の製造方法を用いて、従来の問題点を改善することを目的とする。 【解決手段】基板3を処理する複数の処理室と、前記複数の処理室に原料を供給する1つの原料供給システム10と、前記複数の処理室にプラズマガスを供給する1つのリモートプラズマガス供給システム11と、前記各処理室では前記原料ガスと前記プラズマガスを交互に複数回供給するとともに、1つの処理室に原料ガスを供給している時は他の処理室にプラズマガスを供給するよう制御するコントローラ8とを構成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板を処理する複数の処理室と、 前記複数の処理室に原料を供給する1つの原料供給システムと、 前記複数の処理室にプラズマガスを供給する1つのリモートプラズマガス供給システムと 、 前記各処理室では前記原料ガスと前記プラズマガスを交互に複数回供給するとともに、1 つの処理室に原料ガスを供給している時は他の処理室にプラズマガスを供給するよう制御 するコントローラと、 を有することを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L21/31 ,  H01L21/316
FI (2件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/316 X
Fターム (20件)：
5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045EH01 ,  5F045HA01 ,  5F045HA11 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10
引用特許：
出願人引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM