リモートプラズマ系を底に取り付けた基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308981
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256244
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】厚さの均一性、良好なギャップフィル性能、高密度、低水分を有する誘電膜を形成する高温堆積、加熱及び効率のよい洗浄のシステム、方法及び装置の提供。【解決手段】約100〜760torrの圧力のチャンバ内でシリコン、酸素及びドーパントの反応から少なくとも500°Cの温度のヒータ上の基板上に、ドーパント原子を含むドープ酸化シリコン膜を堆積させる工程;及び前記ドーパント原子を前記基板内に拡散させるために前記ドープ酸化シリコン膜を加熱して前記超薄ドープ領域を形成する工程を含むチャンバ内で基板の超薄ドープ領域を形成する方法を用いる。

請求項（抜粋）：

下記の成分を含む基板処理系。外壁の底部から外壁の上部まで、前記底部に第1開口及び前記上部に第2開口を有する通路を有する外壁を含む処理チャンバ;前記処理チャンバ内に選定圧力を維持するように配置された真空系;選定反応性ガスを前記処理チャンバへ送るように配置され、第1反応性ガスが前記選定反応性ガスである場合に前記第1入力からの第1反応性ガスを前記処理チャンバへ送るように配置された堆積供給系、及び第1入力及び第2入力を有するデュアルインプットボックスを含み、前記選定反応性ガスを前記処理チャンバへ前記デュアルインプットボックスの選定入力を介して選定時間に導入するように配置されたガス供給系を含むガス供給系;第2反応性ガスが前記選定反応性ガスである場合に前記第2入力からの第2反応性ガスを生成し前記処理チャンバへ送るように配置された、前記第2反応性ガスを前記第2入力への前記通路を介して供給するために前記外壁の前記底部に取り付けられたリモートマイクロ波プラズマ系;基板を配置するための、セラミック外部で構成されかつ少なくとも約500°Cまで加熱することができるヒータを含む加熱系;前記ガス供給系、前記リモートマイクロ波プラズマ系、前記加熱系及び前記真空系を制御するように配置されたコントローラ;及び前記基板処理系を操作するコンピュータ判読プログラムが具体化されたコンピュータ判読メディアムを含む、前記コントローラに連結されたメモリ。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/31 C , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭53-029074
特開昭53-029672
特開昭55-145338

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