特許

J-GLOBAL ID：200903033544240987

電界効果型有機トランジスタ

発明者： 中村 真一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-232383
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049776
出願日： 2004年08月09日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 オンオフ比が改善され、閾値電圧が低い電界効果型有機トランジスタを提供する。【解決手段】 ソース電極15、ドレイン電極14、ゲート電極12、ゲート絶縁層13及び有機半導体層16を有する電界効果型有機トランジスタであって、該有機半導体層16が有機半導体化合物と、イオンと結合または包接可能な化合物とを含有する電界効果型有機トランジスタ。前記化合物が、クラウンエーテル化合物、アルミナ化合物、ケイ素化合物、チタン化合物である。前記有機半導体化合物は共役高分子化合物である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁層及び有機半導体層を有する電界効果型有機トランジスタであって、該有機半導体層が有機半導体化合物と、イオンと結合または包接可能な化合物とを含有することを特徴とする電界効果型有機トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627Z ,  H01L29/28

Fターム (41件)：

5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-223020   出願人：三菱化学株式会社
• 有機半導体材料及びそれを用いる薄膜トランジスタ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-243458   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社