薄膜形成方法および薄膜形成装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-023288
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199431
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、連続して移動する帯状部材上に、大面積にわたって、高い光電変換効率及び高品質で優れた均一性を有し、より再現性高く欠陥の少ない光起電力素子を大量に作成することのできる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、上記課題を解決するため原料ガスを放電空間内へ導入し、電力を印加して前記原料ガスをプラズマ放電により分解することによって薄膜を形成する薄膜形成方法または装置において、前記放電空間に配された電力印加電極の表面積が、接地された電極全体の放電空間における表面積よりも大きく、前記プラズマ放電の生起時における前記電力印加電極の自己バイアスとしての電位を、接地電極に対して正電位にするするようにしたことを特徴とすものである。

請求項（抜粋）：

原料ガスを放電空間内へ導入し、電力を印加して前記原料ガスをプラズマ放電により分解することによって薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記放電空間に配された電力印加電極の表面積が、接地された電極全体の放電空間における表面積よりも大きく、前記プラズマ放電の生起時における前記電力印加電極の自己バイアスとしての電位を、接地電極に対して正電位にすることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23C 16/54 , G03G 5/08 105 , H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23C 16/54 , G03G 5/08 105 , H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (16件)

気相反応装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-126829 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-341570
特開平3-247769

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