特許
J-GLOBAL ID：200903033570072006
ITO焼結体及びスパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-199388
公開番号（公開出願番号）：特開平7-054132
出願日： 1993年08月11日
公開日（公表日）： 1995年02月28日
要約：
【要約】【目的】【構成】 亜鉛、銅、アンチモン、チタン、ツリウム、リチウム、マグネシウムの1種以上の元素を5〜5000ppm含有する、密度90%〜100%のITO焼結体。【効果】 このITO焼結体からなるスパッタリングターゲットは、高温基板においても低温基板においても極めて低抵抗で高透明な透明導電膜を与え、なおかつその成膜速度が速く、ターゲット表面の粒状生成物もなく、ターゲットの割れ、ターゲットからの破損粒子の飛散りもなく、極めて生産性に優れている。
請求項（抜粋）：
酸化インジウムおよび酸化錫からなるITO焼結体において、亜鉛、銅、アンチモン、チタン、ツリウム、リチウム、マグネシウムから選ばれた1種以上の元素を含有することを特徴とする密度90%〜100%のITO焼結体。
引用特許：
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