特許
J-GLOBAL ID:200903033573341504

板ガラスおよびエレクトロニクス用基板ガラス

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-112813
公開番号(公開出願番号):特開2000-103638
出願日: 1999年04月20日
公開日(公表日): 2000年04月11日
要約:
【要約】【課題】ソーダライムシリカガラスと同程度の熱膨張係数およびソーダライムシリカガラスより高い歪点を有しながら、しかも破壊じん性がソーダライムシリカガラス以上の板ガラスを得る。【解決手段】Li2 O、Na2 OおよびK2 Oの合量が0〜13、BaOが0〜0.8、SiO2 が50〜75(各モル%)、熱膨張係数が75×10-7〜120×10-7/°C、歪点が550°C以上、20°Cにおける密度が2.65g/cm3 以下、20°Cにおける酸素原子密度が7.2×10-2〜9.0×10-2モル/cm3 である板ガラス。
請求項(抜粋):
Li2 O、Na2 OおよびK2 Oの含有量の合計が0〜13モル%、BaOの含有量が0〜0.8モル%、SiO2 の含有量が50〜75モル%であって、50〜350°Cにおける平均線熱膨張係数が75×10-7〜120×10-7/°Cであり、歪点が550°C以上であり、20°Cにおける密度が2.65g/cm3 以下であり、20°Cにおける酸素原子密度が7.2×10-2〜9.0×10-2モル/cm3 である板ガラス。
IPC (6件):
C03C 3/091 ,  C03C 3/093 ,  C03C 3/095 ,  C03C 3/097 ,  H01J 11/02 ,  H01J 17/16
FI (6件):
C03C 3/091 ,  C03C 3/093 ,  C03C 3/095 ,  C03C 3/097 ,  H01J 11/02 Z ,  H01J 17/16
引用特許:
審査官引用 (3件)

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