特許

J-GLOBAL ID：200903033643181348

薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに液晶表示装置

発明者： 青森 繁 ,  田中 淳 ,  中谷 喜紀 ,  三橋 克典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-222917
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065178
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 薄型・軽量で耐衝撃性に優れ、高画質・高解像度の表示が得られる液晶表示装置を提供する。【解決手段】 低温・低エネルギーのレーザー照射で多結晶化が可能なSiGe膜を用いて、TFTの半導体層3を形成する。SiGe膜の多結晶化の際に、レーザー光の照射エネルギー密度を120mJ/cm2以上200mJ/cm2以下とすることにより、基板温度200°C以下で多結晶化を行うことができる。

請求項（抜粋）：

樹脂基板上に、ゲート電極と半導体層とがゲート絶縁膜を挟んで設けられ、該半導体層がレーザー光照射により多結晶化されたシリコンゲルマニウム膜からなる薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及び表示装置駆動回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-049155   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭63-168021