特許
J-GLOBAL ID：200903033668220275
III族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-286219
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277374
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】III族窒化物系化合物半導体発光素子の駆動電圧を高めることなく光取り出し効率を向上させる。【解決手段】半導体面から光を取り出すIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、p型コンタクト層(第2のp層)108の上に選択成長法で形成したMgを8×1019ドープしたp型GaNから成る高さ約1.5μmのIII族窒化物系化合物半導体突起部150を形成し、その上には金属蒸着による透光性の透光性電極110を形成した。III族窒化物系化合物半導体突起部150によって光取り出し面が凹凸になり実質的な臨界角が広がり、光取り出し効率を向上することができる。またエッチングを用いて凹凸を形成していないので駆動電圧の増大もない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にエピタキシャル成長によりIII族窒化物系化合物半導体を積層して形成される発光素子であって、
光を取り出す半導体の成長表面にIII族窒化物系化合物半導体からなる凹凸面を設けること
を特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA99
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC19
, 5F045AD14
, 5F045AF05
, 5F045BB16
, 5F045CA10
