スタティック書き込み読み出し半導体メモリー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-227300
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069765
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【目的】構成素子又は部品の数を削減した半導体スタティック書き込み読み出し消去メモリーを提供する。【構成】 1ビットの2値データと2以上のビットの2値データの両方を記憶するメモリーセルであって、メモリーセルをスイッチオンするスイッチングトランジスタ(M20)、列書き込み読み出し消去感知回路(46)を用いてデータをメモリーセルに書き込むデータ書き込みビット線(26)、メモリーセルに書き込まれたデータを読み出すデータ読み出しビット線(28)、メモリーセルに記憶されたデータを消去するデータ消去ビット線(32)、データを電磁気又は磁気の形で記憶する電磁気又は磁気素子(36)、電磁気又は磁気の形で記憶されたデータを読み出すデータ読み出し素子(34)、列書き込み読み出し消去感知回路(46)に出力信号を提供する出力電流電圧ビット線(35)とを具備する改良されたIC半導体スタティック書き込み読み出し消去メモリーセル。

請求項（抜粋）：

下記の構成要素からなり、消去されるまではデータを記憶している改良されたスタティック書き込み読み出し半導体メモリーセル。(a) 電磁気または磁気の形で2値データを記憶する電磁気又は磁気素子。(b) 電磁気または磁気素子に所定の大きさのデータ書き込み電圧を与えるデータ書き込みビット線。このデータ書き込みビット線にデータ書き込み電圧が与えられると、所定の大きさのデータ書き込み電流がデータ書き込みビット線を介して電磁気または磁気素子を通過して流れ、これによって電磁気又は磁気素子は「1」を表す2値データ又は「0」を表す2値データのいずれかの特定形式の2値データのビットの相当する電磁界又は磁界を発生する。(c) データ読み出し電流が与えられるデータ読み出しビット線。(d) 適切な物質からなり、データ読み出しビット線に接続された2つの端子を有するデータ読み出し素子。このデータ読み出し素子は、データ書き込み電流のよって電磁気又は磁気素子に発生している所定の強さの電磁気又は磁気の中に特定の方向にして配置されて、データ読み出し電流が流されたときに、その端子間電圧が変化するという特性を有する。

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭60-211678
磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-252504 出願人：株式会社東芝
特開平4-023293

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