特許

J-GLOBAL ID：200903033685193818

不揮発性半導体メモリ

発明者： 小野 隆
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045815
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243530
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 占有面積が小さく、大容量デバイスの実現が可能になる不揮発性半導体メモリの提供【構成】 メモリは、Si単結晶基板に形成されたドレイン拡散層およびソース拡散層と、フローティングゲートおよびコントロールゲートと、セレクトゲートとからなるセルを有している。ワード線32は、コントロールゲートを横方向に繋げることにより形成されている。セレクト線33は、セレクトゲートを縦方向に繋げることにより形成されている。ビット線37は、隣接する2ビットのセルで共通になっているドレイン拡散層を縦方向のセル間で繋げることにより形成されている。このメモリセルアレイでは、ワード線32とセレクト線33とが相互に直交している。また、セルのソース,ドレイン間電流は、ワード線32に対して平行に流れ、ビット線37に対して直交する方向に流れる。

請求項（抜粋）：

Si単結晶基板に形成されたドレイン拡散層およびソース拡散層と、前記基板上に絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートおよびコントロールゲートと、前記フローティングゲートの側方に形成されたセレクトゲートとからなるセルを備えた不揮発性半導体メモリにおいて、前記ドレイン拡散層は、ドレイン-ソース間電流の流れ方向に直交する方向に沿って隣接するセル間で相互に繋がれ、多数のセルを集積したメモリセルアレイのビット線を構成することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (3件)：

H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-200573
  
• 不揮発性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-106848   出願人：シヤープ株式会社