マイクロシステムに機能電界障壁を発生させるための電極構造

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-556876
公開番号（公開出願番号）：特表2002-519176
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2002年07月02日
要約：

【要約】【課題】マイクロシステムにおいて機能電界障壁を発生させるための電極構造を提供する。【解決手段】チャネル内での懸濁液中の分子の誘電泳動の操作のために具備されているマイクロシステム内の電極構造において、少なくとも1つのミクロ電極が少なくとも部分的にチャネルを覆う基準面に沿って電界障壁を発生させるためにチャネルの側面方向の壁に配列されており、基準面が流れの方向を基準にした所定の曲率を有するように、ミクロ電極がチャネルの流れの方向に対して所定の曲率または所定の角度を有する。本発明の1つの実施形態に従って、分子のマイクロシステム内での移動は、遠心力および/または引力の影響を受けて発生する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのミクロ電極が、少なくとも部分的にチャネルを覆う基準面に沿って電界障壁を発生させるためのチャネルの側壁に配置されいる、チャネル内の懸濁液の中での分子の誘電泳動の操作に適応されているマイクロシステムでの電極構造において、前記ミクロ電極は、基準面が流れの方向に対して所定の曲率を有するように、チャネル内での流れの方向に対して所定の曲率または所定の角度を有することを特徴とする電極構造。

IPC (4件)：

B03C 5/02 , B03C 5/00 , C12M 1/42 , G01N 27/447

FI (4件)：

B03C 5/02 , B03C 5/00 Z , C12M 1/42 , G01N 27/26 331 A

Fターム (14件)：

4B029AA07 , 4B029AA09 , 4B029BB01 , 4B029CC01 , 4B029FA04 , 4B029FA15 , 4B029HA05 , 4B029HA09 , 4B029HA10 , 4D054FB01 , 4D054FB09 , 4D054FB11 , 4D054FB18 , 4D054FB20

引用特許：

審査官引用 (9件)

特公昭54-006824
特開昭58-014962
特表平4-501979

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