特許

J-GLOBAL ID：200903033704128623

半導体発光素子

発明者： 中津 弘志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-341085
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190052
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板1上に、この半導体基板1と格子不整合の状態で発光層4が形成された半導体発光素子であって、高効率の発光が得られるものを提供する。【解決手段】 発光層の母体をなす半導体材料に、発光再結合中心として働く不純物をドープする。例えば、半導体基板をGaP基板1、発光層4の母体をなす半導体材料を(AlxGa1-x)1-yInyPとする。この(AlxGa1-x)1-yInyP材料に、ドナー準位を形成する第1の不純物として窒素、酸素、セレン、硫黄またはテルルをドープするとともに、アクセプタ準位を形成する第2の不純物としてマグネシウム、亜鉛またはカドミウムをドープする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、この半導体基板によって実質的に吸収されない波長の光を発する発光層が、上記半導体基板と格子不整合の状態で形成された半導体発光素子において、上記発光層の母体をなす半導体材料に、発光再結合中心として働く不純物が含まれていることを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-089123   出願人：シャープ株式会社