特許
J-GLOBAL ID：200903033713482979
SiON系材料膜の成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177054
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045928
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 光学定数及び膜厚の基板面内均一性に優れたSiON系材料膜の成膜方法を提供する。【構成】 成膜室2内に配される基板載置電極4と、成膜ガス供給路を兼ね基板対向面に多数のガス噴出孔5を有する対向電極7との間で発生させたプラズマを用いてCVDを行うことにより、基板9上にSiON系材料膜10を成膜するSiON系材料膜の成膜方法において、成膜ガスが成膜室2内に均一に供給されるようにするために、前記対向電極7の内部に成膜ガス分散用の多孔板8を配して成膜を行う。なお、前記成膜ガスには、不活性ガスを添加してもよい。【効果】 プラズマ初期放電が安定なものとなり、薄くても均一なSiON系材料膜を成膜できる。その結果、後工程においてフォトリソグラフィのプロセスマージンが拡大する。
請求項（抜粋）：
成膜室内に配される基板載置電極と、成膜ガス供給路を兼ね基板対向面に多数のガス噴出孔を有する対向電極との間で発生させたプラズマを用いてCVDを行うことにより、基板上にSiON系材料膜を成膜するSiON系材料膜の成膜方法において、前記対向電極の内部に成膜ガス分散用の多孔板を配して前記成膜を行うことを特徴とするSiON系材料膜の成膜方法。
引用特許：
前のページに戻る
