化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-320973
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168930
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【目的】段差被覆性が良く、アスペクト比が1.0以上のサブミクロン設計ルールのアルミ配線をボイド無く埋設でき、かつ、膜中水分が少なく、耐クラック性、耐ストレスマイグレーション性,スルーホール性,絶縁性に優れた多層配線層間膜用化学気相成長絶縁膜を提供し、工程数の低域による歩留り向上およびコスト低減と、多層配線の高信頼性化を達成する。【構成】反応ガスとしてTEOSとオゾンと過酸化水素(H2 O2 )を用い、パルス発生器242から、周期1秒,デューティー30%のパルスを送り、RF発振器241からシャワー電極229に印加する高周波電力をオン・オフする事により、約2nmのTEOSとオゾンとH2 O2 の熱CVD膜の形成、熱CVD膜のプラズマ膜への改質,約5nmのプラズマTEOS・CVD膜の形成が繰り返される。これにより、プラズマTEOS・CVD膜と同等の膜質を持ち、段差被覆性,微細配線埋め込み性の優れた、層間絶縁膜が形成される。

請求項（抜粋）：

原料ガスの少なくとも一部分に有機シランと酸素を含み、基板方面へのプラズマ照射強度を周期的に変化させながら所望の薄膜を形成する事を特徴とするプラズマ化学気相成長法。

IPC (6件)：

H01L 21/31 , C23C 16/50 , C30B 25/14 , C30B 25/16 , H01L 21/316 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平3-133131
特開平3-208345
特開平1-217927

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