特許
J-GLOBAL ID:200903033724082638

電子線描画用マスクブランクス、電子線描画用マスクおよび電子線描画用マスクの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤村 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-156726
公開番号(公開出願番号):特開2001-077013
出願日: 2000年05月26日
公開日(公表日): 2001年03月23日
要約:
【要約】【課題】 電子の透過と散乱が制御され、ビームコントラストが良好で、露光電子の損失が少なく、色収差の影響を低減でき、露光時間を短縮化できる電子線描画用マスク等を提供する【解決手段】 電子線を透過するパターン支持膜6と、前記パターン支持膜上に形成された電子線散乱体パターン5と、前記パターン支持膜6および前記電子線散乱体パターン5を支持する支持体3とを有する電子線描画用マスクにおいて、前記パターン支持膜6について、膜厚が0.005μm〜0.2μmであり、膜材料密度が1.0〜5.0g/cm3であり、弾性率が0.8×1011Pa以上であって、かつ、前記電子線散乱体パターン5について、膜厚が0.2〜2μmであり、膜材料密度が1.0〜5.0g/cm3であり、弾性率が0.8×1011Pa以上であることを特徴とする電子線描画用マスク。
請求項(抜粋):
電子線を透過するパターン支持層と、前記パターン支持層上に形成された電子線散乱層と、前記パターン支持層と前記電子線散乱層とを支持する支持体とを有する電子線描画用マスクブランクスにおいて、前記電子線散乱層が、炭素元素及び/又は珪素元素を主成分としてなる材料からなることを特徴とする電子線描画用マスクブランクス。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (2件):
H01L 21/30 541 S ,  G03F 1/16 B
Fターム (11件):
2H095BA08 ,  2H095BB31 ,  2H095BB37 ,  2H095BC05 ,  2H095BC09 ,  2H095BC24 ,  2H095BC27 ,  5F056AA22 ,  5F056AA27 ,  5F056FA05 ,  5F056FA07
引用特許:
審査官引用 (5件)
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