特許
J-GLOBAL ID：200903033725841290
R-TM-B系硬磁性薄膜およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099957
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219313
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、スパッタリング法によって比較的低温(773K(500°C)以下)の基板温度で成膜を行った後、熱処理を施してR2TM14Bを結晶化させる方法において、R2TM14Bの磁化容易軸の方向が等方的であるにもかかわらず角型性に優れ、かつ高保磁力を有するR-TM-B系硬磁性薄膜およびR-TM-B系硬磁性薄膜を安定して効率よく製造するための方法を提供する。【解決手段】 本発明は、10〜20at%のR(RはNdまたはPrの少なくとも1種、あるいはその一部をDyで置換したもの)、5〜20at%のB、残部TM(TMはFeまたはFeの一部をCoで置換したもの)からなるR-TM-B系硬磁性薄膜において、R2TM14Bの磁化容易軸の方向が等方的であるR-TM-B系硬磁性薄膜である。
請求項（抜粋）：
10〜20at%のR(RはNdまたはPrの少なくとも1種、或いは更にその一部をDyで置換したもの)、5〜20at%のB、残部TM(TMはFeまたはFeの一部をCoで置換したもの)及び不可避的な不純物からなるR-TM-B系硬磁性薄膜において、R2TM14Bの磁化容易軸の方向が等方的であることを特徴とするR-TM-B系硬磁性薄膜。
IPC (4件)：
H01F 10/14
, C23C 14/14
, C23C 14/34
, H01F 41/18
H01F 10/14
, C23C 14/14 F
, C23C 14/34 P
, H01F 41/18
