特許
J-GLOBAL ID：200903033727429990
薄膜製造装置及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-254966
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213296
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】薄膜製造装置内部に付着した薄膜がひび割れを生じる、あるいは内壁界面からはく離脱落することによる塵埃発生を予測し、装置内部及び薄膜堆積用基板の塵埃汚染を未然に防止する手段及びこの手段を搭載した薄膜製造装置構造を提供する。【構成】薄膜製造装置に、装置内壁に付着する薄膜の内部応力をモニタし、応力が薄膜の割れあるいははがれを生じる限界値に到達する直前に信号を発する制御装置を設ける。制御装置は次の薄膜堆積条件を遂行した場合に付着膜の応力が所定の値を越えるか否かを判定し、越えると予測された場合に信号を発し、装置の洗浄あるいは部品の交換を指示する。薄膜の内部応力を測定する方法には、半導体ひずみゲージを内蔵させたセンサを装置内部に設置する、付着薄膜の応力に起因した所定の基板の反り変形を測定するセンサを装置内に設ける、付着薄膜内部の超音波の伝搬速度測定から応力を測定するセンサを装置内に設ける等がある。
請求項（抜粋）：
薄膜製造装置において、薄膜堆積室内部に薄膜堆積用基板以外の装置内に付着する薄膜の内部応力を測定するセンサと、前記センサとの信号あるいは計測用電力の伝達及び異常が発生した場合の警報信号を発する制御装置を設けたことを特徴とする薄膜製造装置。
IPC (6件)：
H01L 21/02
, C23C 16/44
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/66
