特許
J-GLOBAL ID：200903033733061740
磁気抵抗効果センサ及び該センサを用いた磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-011986
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261209
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 センス電流の変化に対する再生信号波形の振幅上下非対称性の変化を防止できかつフリー層の特性低下もないMRセンサ及び磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 第1及び第2の強磁性材料層と、第1及び第2の強磁性材料層間に設けられており第1及び第2の強磁性材料層を磁気的に分離する非磁性導電材料スペーサ層と、第2の強磁性材料層の非磁性導電材料スペーサ層とは反対側の面上に積層されており第2の強磁性材料層をピンニングする反強磁性材料層と、第1の強磁性材料層の非磁性導電材料スペーサ層とは反対側の面上に積層された拡散防止層と、拡散防止層上に積層された非磁性材料電流バイパス層とを備えている。
請求項（抜粋）：
第1及び第2の強磁性材料層と、該第1及び第2の強磁性材料層間に設けられており該第1及び第2の強磁性材料層を磁気的に分離する非磁性材料スペーサ層と、前記第2の強磁性材料層の前記非磁性材料スペーサ層とは反対側の面上に積層されており該第2の強磁性材料層をピンニングする反強磁性材料層と、前記第1の強磁性材料層の前記非磁性材料スペーサ層とは反対側の面上に積層された拡散防止層と、該拡散防止層上に積層された非磁性材料電流バイパス層とを備えたことを特徴とする磁気抵抗効果センサ。
引用特許：
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