特許
J-GLOBAL ID：200903033737236308

薄膜キャパシタ及びその製造方法

発明者：
曽祢 修次

曽祢 修次 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257741
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091531
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 工程数の少ない作製プロセスにより、ぺロブスカイト型酸化物薄膜を用いた薄膜キャパシタの絶縁性を向上させる。【解決手段】 ぺロブスカイト型酸化物薄膜1とこのペロブスカイト型酸化物薄膜1を狭持する一対の電極膜2、3とを有する薄膜キャパシタ10において、下部電極2上にアモルファス構造のぺロブスカイト型酸化物1、上部電極3を順次積層した後、このペロブスカイト型酸化物1を結晶化させるための熱処理を行う薄膜キャパシタの製造方法。
請求項（抜粋）：
ぺロブスカイト型酸化物薄膜と当該ペロブスカイト型酸化物薄膜を狭持する一対の電極膜とから構成された薄膜キャパシタであって、当該ペロブスカイト型酸化物薄膜と少なくとも一方の電極膜との界面が平坦状に形成されている事を特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (3件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H05B 33/10
FI (2件)：
H01L 27/10 651 ,  H05B 33/10
Fターム (14件)：
3K007AB18 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  5F083AD00 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (3件)

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