特許
J-GLOBAL ID：200903033739191069

半導体装置、電気光学装置および電子機器

発明者：
宮本 勉

宮本 勉 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-084929
公開番号（公開出願番号）：特開2007-264003
出願日： 2006年03月27日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】スイッチング素子のしきい値電圧が通電時間経過により変動しても正確な画像を形成することができる半導体装置、電気光学装置および電子機器を提供する。【解決手段】半導体装置は、機能層が有機材料にて形成され、ソース電極16とドレイン電極20とを備えたスイッチング素子(TFT12)と、ソース電極16とドレイン電極20との間に配置されたP型半導体部26及びN型半導体部28を備えた整流素子(ダイオード整流素子14)と、を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
機能層が有機材料にて形成され、ソース電極とドレイン電極とを備えたスイッチング素 子と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されたP型半導体部及びN型半導体部 を備えた整流素子と、 を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
G02F 1/167 ,  G02F 1/17
FI (2件)：
G02F1/167 ,  G02F1/17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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