特許

J-GLOBAL ID：200903033750037527

ウエット処理方法および処理装置

発明者： 大見 忠弘
出願人/特許権者： 大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-184892
公開番号（公開出願番号）：特開平9-010712
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月14日
要約：

【要約】【目的】 薬品及び超純水の使用量が少なく、高温プロセスを経ることなく、廃液処理が容易であり、しかもハイドロカーボン除去率が極めて高いウエット処理方法及びウエット処理装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の被ウエット処理物を、水中にオゾン又はオゾンと微量の希ガスを含有する超純水で処理する方法であって、これに20kHz以上の超音波を照射しながら被処理物をウエット処理することを特微とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の被ウエット処理物を、水中にオゾン又はオゾンと微量の希ガスを含有する超純水で処理する方法であって、これに20kHz以上の超音波を照射しながら被処理物をウエット処理することを特微とするウエット処理方法。

IPC (2件)：

B08B 3/12 ,  H01L 21/304 341

FI (2件)：

B08B 3/12 A ,  H01L 21/304 341 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-305926
  
• 特開平4-354334
  
• 半導体ウェーハを流体中で処理する方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-504711   出願人：レガシーシステムズインコーポレイテッド
• 特開平3-218016