特許
J-GLOBAL ID：200903033760419622
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-191759
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041502
出願日： 1996年07月22日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】本発明は、シリコン技術と融合しうる微小接合が備えられた半導体装置であり、より高温においてトンネル現象がとらえられる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は上記課題を解決するために、表面に絶縁膜層が形成された基板と、前記絶縁膜層上に形成され、側壁部が備えられた半導体薄膜層と、この半導体薄膜層の側壁部に形成されたゲ-ト絶縁膜と、このゲ-ト絶縁膜を介して前記半導体薄膜層の側壁部に隣接して形成されたゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極の制御により前記半導体薄膜層に形成されるチャネル層と、前記チャネル層のフロント側に電子濃度を制御する複数の電子濃度制御手段が設けられたことを特徴とする半導体装置を提供する。
請求項（抜粋）：
表面に絶縁膜層が形成された基板と、前記絶縁膜層上に形成され、側壁部が備えられた半導体薄膜層と、この半導体薄膜層の側壁部に形成されたゲ-ト絶縁膜と、このゲ-ト絶縁膜を介して前記半導体薄膜層の側壁部に形成されたゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極の制御により前記半導体薄膜層に形成されるチャネル層と、前記チャネル層の表面側の電子濃度を制御する電子濃度制御手段とが設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 29/66
, H01L 29/80
, H01L 49/00
H01L 29/78 301 J
, H01L 29/66
, H01L 49/00 Z
, H01L 29/80 A
