特許
J-GLOBAL ID:200903083050043469

クーロンブロッケード素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 純之助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-094790
公開番号(公開出願番号):特開平8-288505
出願日: 1995年04月20日
公開日(公表日): 1996年11月01日
要約:
【要約】【目的】 0次元的な電子(正孔)を小さなサイズで閉じ込め、高温でも十分動作できるクーロンブロッケード素子を得る。【構成】 上下を絶縁膜2、4で挟まれたシリコン層1の側壁に、絶縁膜5を介して微小電極9を有し、その片脇または両脇の近傍まで導電性シリコン層6を有する構造とする。
請求項(抜粋):
少なくとも上下を絶縁膜で挟まれたシリコン層の側壁に、絶縁膜を介して接続する幅が狭い微小電極を有し、その片脇または両脇の近傍まで伸びた導電性シリコン層を有する構造のクーロンブロッケード素子。
IPC (7件):
H01L 29/78 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/786 ,  H01L 49/00
FI (7件):
H01L 29/78 301 J ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 29/78 622
引用特許:
審査官引用 (2件)

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