気相成長装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343943
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160538
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェーハ上に薄膜を均一に成長させることができる気相成長装置を提供する。【解決手段】ウェーハ保持体11の周方向における薄膜の成長速度分布に応じてウェーハ保持体11の回転速度を変化させる。

請求項（抜粋）：

反応室内に配置されるウェーハ保持体に半導体ウェーハが搭載され、前記反応室内にガスを供給することにより前記半導体ウェーハの表面上に薄膜を形成させる気相成長装置において、前記ウェーハ保持体を前記反応室内で回転させる駆動手段と、前記ウェーハ保持体の周方向における前記薄膜の成長速度分布に応じて前記ウェーハ保持体の回転速度を変化させる制御手段とを備えることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/458

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/458

Fターム (26件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB01 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030GA05 , 4K030GA07 , 4K030JA12 , 4K030KA41 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AF03 , 5F045BB01 , 5F045DP16 , 5F045DP27 , 5F045EE20 , 5F045EF02 , 5F045EF08 , 5F045EF14 , 5F045EM10 , 5F045GB09 , 5F045GB16

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭53-058761
特開昭60-215594
特開平1-242487

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