半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：奥田誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-059905
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273614
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】ZnOから半導体層を形成し、かつ、電極・配線材料としてアルミニウム用いた半導体装置を提供する。【解決手段】基板1と、基板1に支持されている少なくとも1つの電極と、電極の上面の少なくとも一部に接触する半導体層(ZnO)4とを備えた半導体装置であって、電極は、アルミニウムから形成された第1導電層2と、第1導電層2の上面と半導体層4との間に配置され、アルミニウムよりも電蝕反応を生じにくい材料(Tiなど)から形成された第2導電層3と、半導体層4の下面と第1導電層2の側面との間に位置する絶縁性保護層7とを有している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板に支持されている少なくとも1つの電極と、前記電極の上面の少なくとも一部に接触する半導体層と、を備えた半導体装置であって、前記電極は、第1導電材料から形成された第1導電層と、前記第1導電層の上面と前記半導体層との間に配置され、前記第1導電材料とは異なる第2導電材料から形成された第2導電層と、前記半導体層の下面と前記第1導電層の側面との間に位置する絶縁性保護層と、を有している半導体装置。

IPC (5件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/861

FI (8件)：

H01L29/78 618B , G02F1/1368 , H01L21/28 301B , H01L29/78 616U , H01L29/78 619A , H01L29/91 B , H01L29/91 D , H01L29/91 L

Fターム (68件)：

2H092HA06 , 2H092JA05 , 2H092JA12 , 2H092JA24 , 2H092JA25 , 2H092JA41 , 2H092JA44 , 2H092JB57 , 2H092KA07 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB24 , 2H092MA05 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA24 , 2H092NA15 , 4M104AA06 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104CC01 , 4M104DD86 , 4M104DD88 , 4M104EE09 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104HH03 , 4M104HH20 , 5F110AA06 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG04 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN32 , 5F110NN37 , 5F110NN72 , 5F110QQ09 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-062198 出願人：シャープ株式会社
半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-082043 出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (2件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-062198 出願人：シャープ株式会社
半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-082043 出願人：科学技術振興事業団

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