特許
J-GLOBAL ID：200903033798323106
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-160055
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363327
出願日： 2003年06月04日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】絶縁ゲート構造を有する半導体装置において、チップ面内の温度アンバランスを緩和し、温度分布の均一性を高めることによって、熱的信頼性を高めること。【解決手段】発熱量が大きく、放熱性の悪いチップ中央部11では、ユニットセル4を疎に配置し、発熱量が小さく、放熱性のよいチップ周辺部12では、ユニットセル4を密に配置することによって、チップ中央部11での放熱性を向上させる。このように、ベース層において、チップの中央部11とチップ周辺部12とで異なる間隔で配置する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型のドリフト層、前記ドリフト層の表面に形成された第2導電型のベース層、前記ベース層内に形成された第1導電型の不純物拡散領域、前記不純物拡散領域と前記ドリフト層との間のチャネルとなる領域に接して設けられた絶縁ゲート構造、並びに前記不純物拡散領域および前記ベース層の両方に電気的に接続する電極を備えた半導体素子が複数設けられた半導体装置であって、
前記ベース層は、チップの中央部と周辺部とで異なる間隔で配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L29/78 655G
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 652S
, H01L29/78 653A
