半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162478
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005599
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】バリアメタル層を有する半導体装置とその製造方法に関して、よりエレクトロマイグレーション耐性の高い、高信頼性の金属配線を有する半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】 Al合金またはAl膜を主要構成要素とする多層構造の金属配線層にバリアメタル層を有する半導体装置の製造方法において、バリアメタル層6を形成後酸素を含む雰囲気にさらす工程と、バリアメタル層6上にAl(111)面と面間隔がほぼ等しい面に配向する高融点金属またはその化合物層またはAl合金またはAl膜からなるバッファー層9を堆積し、酸素を含む雰囲気にさらすことなく真空中連続でバッファー層9上にAl合金またはAl膜からなる配線層8を形成する工程からなる。【効果】バリアメタル酸化物7の影響がないため、Al合金のAlの(111)配向性を向上させることができ、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性が高く信頼性の高い半導体装置の製造方法が得られる。

請求項（抜粋）：

多層構造の金属配線層にバリアメタル層を有する半導体装置であって、前記バリアメタル層上のバリアメタル酸化物と、前記バリアメタル酸化物上のバッファー層と、前記バッファー層上の配線層とを備え、前記バッファー層が前記配線層の最稠密面と原子間隔がほぼ等しい原子間隔を持つ面に配向したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-027163
特開平3-262127
特開昭63-227038

全件表示

前のページに戻る