特許

J-GLOBAL ID：200903033815757883

電界効果型半導体装置

発明者： 樋田 光
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192944
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037292
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 高寄生抵抗、高信頼性、高電荷密度、高耐圧のHEMTを提供すること。【構成】 半絶縁性GaAs基板1上に、アンドープGaAsバッファ層2、アンドープIn0.35Ga0.65Asチャネル層3、アンドープGaAsスペーサ層4、N型In0.15Ga0.85As電子供給層5、アンドープGaAsバリア層6、N型GaAsキャップ層7を順次成長させる。その上に、Alによるゲート電極8G、AuGe/Ni/Auによるソース電極8S及びドレイン電極8Dを形成する。つまり、チャネル層3及び電子供給層5にInを添加し、チャネル層3のIn組成比を電子供給層5のIn組成比より大きくする。

請求項（抜粋）：

第1の電子電子親和力(χ1)を有する第1の半導体層(3)と、該第1の半導体層上に形成され、前記第1の電子親和力より小さい第2の電子電子親和力(χ2)を有するアンドープもしくは低不純物密度の第2の半導体層(4)と、該第2の半導体層上に形成され、前記第1の電子親和力より小さく前記第2の電子親和力より大きい第3の電子親和力(χ3)を有する高ドナー不純物密度の第3の半導体層(5)とを具備し、前記第1、第3の半導体層はInを添加物として含み、かつ前記第1の半導体層のIn組成比を前記第3の半導体層のIn組成比より大きくした電界効果型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-090173
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-147214   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-104126