特許

J-GLOBAL ID：200903033824286702

半導体装置とその製造方法

発明者： 樹神 雅人 ,  林 栄子 ,  杉本 雅裕
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-064397
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253224
出願日： 2005年03月08日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

【課題】 窒化ガリウム(GaN)を利用する半導体装置において、MIS型のゲート構造の閾値電圧を低減すること。【解決手段】 マグネシウムを含む窒化ガリウム(GaN)の半導体層32と、その半導体層32にゲート絶縁膜52を介して対向しているゲート電極58を備えている半導体装置10である。半導体層32のうちのゲート電極58が対向している領域に、水素原子が局所的に偏在している局所的領域34が形成されていることを特徴としている。局所的領域34ではマグネシウムが不活性化されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

p型不純物を含むIII-V族化合物半導体と、 III-V族化合物半導体に絶縁膜を介して対向するゲート電極を備え、 III-V族化合物半導体のうちの絶縁膜を介してゲート電極に対向する局所的領域に、水素原子が偏在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/22 C ,  H01L21/324 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/80 H

Fターム (59件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21 ,  5F110AA11 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG33 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F140AA00 ,  5F140AA25 ,  5F140AC36 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BD06 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BG44 ,  5F140BH25 ,  5F140BH26 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK09 ,  5F140BK18 ,  5F140BK29

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 微細構造半導体装置およびその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-198784   出願人：株式会社東芝