特許
J-GLOBAL ID：200903033827056929
電子ビーム描画方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146188
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340480
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 簡単な構成で短時間に近接効果の補正を行うことができる電子ビーム描画方法および装置を実現する。【解決手段】 フィールドを描画する場合には、隣接するフィールドのパターン面積データが制御CPU11から順次読み出され、各データは特定フィールドのパターンデータと共に近接効果補正ユニット24内の特徴値演算回路25に送られ、この演算回路25によって各フィールドの図形の特徴値が演算され、特徴値メモリー26に記憶される。各特徴値をもとに、補正値演算回路27でフィールドにおけるショット時間の補正値が演算され、補正値メモリー28に記憶される。この補正値が、ショット時間制御ユニット18に供給され、フィールド内にショットされる図形のショット時間は、近接効果を補正するように調整されることになる。
請求項（抜粋）：
電子ビームを描画パターンデータに応じて被描画材料上に照射して所望パターンの描画行うようにすると共に、仮想的に分離された個別領域ごとに電子ビームの照射量を補正するようにした電子ビーム描画方法において、特定の個別領域の描画に際してその周辺の個別領域のパターンに応じたデータを抜き出し、そのデータに基づいて個別領域の特徴値を演算して記憶し、記憶された各特徴値に基づいて該特定の個別領域の電子ビーム照射量を補正し、異なった個別領域の描画に際しては、記憶された特徴値の一部が書き換えられるようにした電子ビーム描画方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
H01L 21/30 541 M
, G03F 7/20 504
, H01L 21/30 541 S
2H097AA05
, 2H097CA16
, 2H097LA10
, 5F056AA04
, 5F056BA05
, 5F056BC03
, 5F056CA02
, 5F056CB03
, 5F056CC12
, 5F056CC13
, 5F056CD06
, 5F056CD13
