特許
J-GLOBAL ID：200903033838538224
波長掃引機能付き分布反射型半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-060906
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264892
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 光吸収を低減させ、低消費電力波長可変光源のみならず、従来実用化できなかった超広帯域波長多重通信用光源として用いることが可能な分布反射型半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明にもとづく波長可変半導体レーザ装置は、キャリアの注入により活性領域をなして発光する応力がかけられた多重量子井戸層、例えばGaInAsP層と、歪みが導入されたGaInAsP層との多層膜構造を有する。また、電流を流すためのp型およびn型の半導体層、例えばInP層をそれぞれ被着したものを、半導体基板上、例えばn型InP基板上に活性領域として設け、その片側、または両側に半導体基板の格子定数よりわずかに異なり、さらに、それによって生じる応力の方向が両者で反転するように設計された結晶成長可能な、例えばGaInAs層と、GaInAsP層を多段に積層した積層構造を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、禁制帯幅が相対的に大きな組成のクラッド層で囲まれた活性層を有し、該活性層からなる領域の片側または両側に非活性導波路領域が光学的に結合した分布反射型半導体レーザ装置において、室温における半導体薄膜の格子定数が基板よりも大きく、かつ圧縮歪みがかけられた量子井戸層を導入した活性領域と、室温における半導体薄膜の格子定数が基板よりも小さく、かつ引っ張り歪みがかけられた量子井戸層を導入した非活性導波路領域とが設けられたことを特徴とする波長掃引機能付き分布反射型半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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