特許
J-GLOBAL ID：200903033885161767
半導体レーザの製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222020
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088432
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 無効電流が少なく、簡単な製法で電流注入領域を制御でき、しかもチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体レーザにおいても、電流注入領域を簡単に制御できる半導体レーザの製法を提供する。【構成】 (a)基板1上に少なくともn型層4、活性層5およびp型層6を含み、半導体レーザを構成するチッ化ガリウム系化合物半導体を積層し、(b)該積層された半導体層の電流注入領域におけるp型層を活性化し、(c)前記積層された半導体層の電流注入領域以外の領域におけるp型層を不活性化状態に維持することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
(a)基板上に少なくともn型層、活性層およびp型層を含み、半導体レーザを構成するチッ化ガリウム系化合物半導体を積層し、(b)該積層された半導体層の電流注入領域におけるp型層を活性化し、(c)前記積層された半導体層の電流注入領域以外の領域におけるp型層を不活性化状態に維持することを特徴とする半導体レーザの製法。
引用特許：
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