特許
J-GLOBAL ID：200903033894535718
発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-284553
公開番号（公開出願番号）：特開2005-056956
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 発光層部を有した化合物半導体層から成長用基板を除去しても、そのハンドリングを容易に行なうことができ、接合金属層の合金化熱処理による金属層の反射率低下も生じにくい発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 成長用基板1の第一主表面上に化合物半導体層24をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層24の第一主表面に仮支持基板110を、高分子結合材111を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板1を化学エッチング等により除去する。成長用基板1が除去された化合物半導体層24の第二主表面に接合金属層31を形成した後、合金化熱処理をまず行ない、その後、該化合物半導体層24の第二主表面に金属層10を介して素子基板7を貼り合せる。高分子結合材111は、合金化熱処理が行われる温度範囲(300°C以上450°C以下)における蒸気圧が10torr以下であるものを選定する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
発光層部を有するIII-V族化合物半導体からなる化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面に、発光層部からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した金属層を介して素子基板が結合されるとともに、前記金属層と前記化合物半導体層との間に、該化合物半導体層と該金属層との接触抵抗を低減するための接合合金化層を配置した発光素子を製造するために、
成長用基板の第一主表面上に前記化合物半導体層をエピタキシャル成長する化合物半導体層成長工程と、
前記化合物半導体層の第二主表面側に前記成長用基板が付随した状態で、前記化合物半導体層の第一主表面に仮支持基板を、高分子材料結合層を介して貼り合わせ、その後、前記成長用基板を除去することにより、前記化合物半導体層と前記仮支持基板とが貼り合わされた仮支持貼り合わせ体を形成する仮支持貼り合わせ体形成工程と、
前記成長用基板の除去により露出した前記化合物半導体層の第二主表面に接合金属層を形成する接合金属層形成工程と、
前記接合金属層を前記化合物半導体層と合金化させて前記接合合金化層とする合金化熱処理を、前記仮支持貼り合わせ体の状態で行なう合金化熱処理工程と、
該合金化熱処理の終了後に、前記仮支持貼り合わせ体の状態で前記化合物半導体層をハンドリングしつつ、前記合金化熱処理よりも低温で貼り合わせ処理を行なうことにより、該化合物半導体層の第二主表面に金属層を介して素子基板を貼り合せた素子基板貼り合わせ体を作成する素子基板貼り合わせ工程と、
前記高分子材料結合層を加熱して軟化させ、前記素子基板貼り合わせ体から前記仮支持基板を分離する仮支持基板分離工程と、がこの順序にて実施されるとともに、
前記合金化熱処理を、不活性ガス雰囲気中にて300°C以上450°C以下の温度範囲にて行なうとともに、前記仮支持貼り合わせ体に使用する前記高分子材料結合層として、300°C以上450°C以下の温度での蒸気圧が10torr以下のものを使用することを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA03
, 5F041CA03
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CB15
