特許
J-GLOBAL ID：200903019234569463
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013691
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217450
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 寄生直列抵抗が低く反射率が向上した発光効率の高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体発光機能層4、半導体発光機能層4の主表面に周期的に設けられたコンタクト用合金層5、コンタクト用合金層5を介して接合された高導電性反射膜3からなる。半導体発光機能層4は、第1クラッド層6、活性層7、第2クラッド層8とから構成され、第2クラッド層8の上部には、p型の電流拡散層9を備える。高導電性反射膜3の主表面に導電性平板2が接合されている。導電性平板2はカソード電極として機能し、高導電性反射膜3を機械的に補強する。電流拡散層9にはアノード電極10が形成されている。良好な界面モホロジーを有し光学的な反射率が高い高光学的反射領域と、電気的接触抵抗が低いオーミック接触領域とが交互に形成される。
請求項（抜粋）：
pn接合による電流注入により、その半導体に固有な波長の光を発光させるための積層構造からなる半導体発光機能層と、該半導体発光機能層の一方の主表面において、交互且つ周期的に配置された光学的な反射率が高い高光学的反射領域と、低い電気的接触抵抗を有するオーミック接触領域とから構成されたことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (12件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA41
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA36
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CB15
