特許

J-GLOBAL ID：200903033904198413

相変化ナノ粒子を含む相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法

発明者： 姜 閏 浩 ,  趙 鬱 廉 ,  徐 東 碩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-348039
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165553
出願日： 2005年12月01日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】相変化ナノ粒子を含む相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】相互に対向配置される第1電極40及び第2電極48と、第1電極と第2電極との間に介在されるものであって、相変化ナノ粒子を含む相変化物質層46と、第1電極に電気的に連結されるスイッチング素子30と、を備える相変化メモリ素子である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

相互に対向配置される第1電極及び第2電極と、 前記第1電極と第2電極との間に介在されるものであって、相変化ナノ粒子を含む相変化物質層と、 前記第1電極に電気的に連結されるスイッチング素子と、を備えることを特徴とする相変化メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  G11C 13/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A ,  G11C13/00 A

Fターム (3件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電気的消去可能型相転移メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006940   出願人：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド
• ユニバーサルメモリ素子を使用するシステムを有するユニバーサルメモリ素子と、同メモリ素子を読み取り、書き込み、またプログラムするための装置と方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-611284   出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 電気抵抗が高い相変化記録膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-103518   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 光記録媒体を用いた光記録方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-263919   出願人：富士写真フイルム株式会社