特許
J-GLOBAL ID：200903014032513880
電気抵抗が高い相変化記録膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
富田 和夫
, 鴨井 久太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-103518
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311728
出願日： 2003年04月08日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】電気抵抗の高い相変化記録膜を提供する。【解決手段】原子%でGe:15〜30%、Sb:15〜30%を含有し、窒素:0.1〜10%を含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗の高い相変化記録膜。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
原子%で(以下、%は原子%を示す)Ge:15〜30%、Sb:15〜30%を含有し、さらに窒素:0.1〜10%を含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする電気抵抗が高い相変化記録膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L45/00 A
, H01L27/10 451
