フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：後藤幸久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-049549
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240625
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：

【要約】【課題】基板に対する密着性に優れ、且つ微細なパターンを精度よく形成できるフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、下記式(Ia)及び(Ib)【化1】(式中、R1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf及びRgは、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示し、X1、X2及びX3は-CH2-又は-CO-O-を示す。X1、X2及びX3のうち少なくとも1つは-CO-O-である。m、p及びqはそれぞれ0〜2の整数を示す)で表されるモノマー単位から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含む。

請求項（抜粋）：

下記式(Ia)及び(Ib)【化1】(式中、R1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf及びRgは、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示し、X1、X2及びX3は-CH2-又は-CO-O-を示す。X1、X2及びX3のうち少なくとも1つは-CO-O-である。m、p及びqはそれぞれ0〜2の整数を示す)で表されるモノマー単位から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。

IPC (9件)：

C08F220/28 , C08F220/06 , C08F220/18 , C08F222/06 , C08F232/08 , C08K 5/00 , C08L 33/14 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (9件)：

C08F220/28 , C08F220/06 , C08F220/18 , C08F222/06 , C08F232/08 , C08K 5/00 , C08L 33/14 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (61件)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025BJ00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025FA17 , 4J002BB161 , 4J002BG011 , 4J002BG071 , 4J002BH021 , 4J002EB006 , 4J002EE056 , 4J002EQ016 , 4J002EU026 , 4J002EU186 , 4J002EV216 , 4J002EV246 , 4J002EV296 , 4J002EV326 , 4J002FD206 , 4J002GP03 , 4J100AJ02R , 4J100AK32R , 4J100AL03Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AR09P , 4J100AR11Q , 4J100AR11R , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA11P , 4J100BA11Q , 4J100BA11R , 4J100BA15Q , 4J100BA16R , 4J100BA20Q , 4J100BC08R , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC12R , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100CA03 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA39 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (3件)

感光性組成物及びパタ-ン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-070591 出願人：株式会社東芝
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-024527 出願人：ダイセル化学工業株式会社
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-030542 出願人：信越化学工業株式会社

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