特許
J-GLOBAL ID：200903033925965104
フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
後藤 幸久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-049549
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240625
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：
【要約】【課題】 基板に対する密着性に優れ、且つ微細なパターンを精度よく形成できるフォトレジスト用高分子化合物を得る。【解決手段】 本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、下記式(Ia)及び(Ib)【化1】(式中、R1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf及びRgは、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示し、X1、X2及びX3は-CH2-又は-CO-O-を示す。X1、X2及びX3のうち少なくとも1つは-CO-O-である。m、p及びqはそれぞれ0〜2の整数を示す)で表されるモノマー単位から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含む。
請求項（抜粋）：
下記式(Ia)及び(Ib)【化1】(式中、R1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf及びRgは、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を示し、X1、X2及びX3は-CH2-又は-CO-O-を示す。X1、X2及びX3のうち少なくとも1つは-CO-O-である。m、p及びqはそれぞれ0〜2の整数を示す)で表されるモノマー単位から選択された少なくとも1種のモノマー単位を含むフォトレジスト用高分子化合物。
IPC (9件)：
C08F220/28
, C08F220/06
, C08F220/18
, C08F222/06
, C08F232/08
, C08K 5/00
, C08L 33/14
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
C08F220/28
, C08F220/06
, C08F220/18
, C08F222/06
, C08F232/08
, C08K 5/00
, C08L 33/14
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AA14
, 2H025AB16
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025BJ00
, 2H025CB08
, 2H025CB10
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025FA17
, 4J002BB161
, 4J002BG011
, 4J002BG071
, 4J002BH021
, 4J002EB006
, 4J002EE056
, 4J002EQ016
, 4J002EU026
, 4J002EU186
, 4J002EV216
, 4J002EV246
, 4J002EV296
, 4J002EV326
, 4J002FD206
, 4J002GP03
, 4J100AJ02R
, 4J100AK32R
, 4J100AL03Q
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100AR09P
, 4J100AR11Q
, 4J100AR11R
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA11P
, 4J100BA11Q
, 4J100BA11R
, 4J100BA15Q
, 4J100BA16R
, 4J100BA20Q
, 4J100BC08R
, 4J100BC09Q
, 4J100BC09R
, 4J100BC12R
, 4J100BC53P
, 4J100BC53Q
, 4J100BC53R
, 4J100CA03
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA06
, 4J100DA39
, 4J100JA38
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (3件)
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