マグネトロンスパッタ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-257591
公開番号（公開出願番号）：特開平8-092740
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：

【要約】【目的】マグネトロンスパッタ装置によるITO薄膜等の成膜で、特定条件の下でRF方式を利用することによりその膜厚と膜特性の均一性を向上する。【構成】マグネット組立22を併用してプラズマ50を生成し、このプラズマを利用して基板23に透明導電膜を成膜するマグネトロンスパッタ装置であり、高い充填密度を有するターゲット21と、このターゲットに対してプラズマ生成のための放電用電力の主たる部分を供給する高周波電源41とを備え、成膜時における不純物ガス分圧が3×10-6Torr以下である。ターゲットの充填密度は70%以上であり、マグネット装置によるターゲット表面での平行方向の最大磁場の強さが500G以下であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

マグネット装置を併用してプラズマを生成し、このプラズマを利用して基板に透明導電膜を成膜するマグネトロンスパッタ装置において、高い充填密度を有するターゲットと、このターゲットに対してプラズマ生成のための放電用電力の主たる部分を供給する高周波電源とを備え、成膜時における不純物ガス分圧が3×10-6Torr以下であることを特徴とするマグネトロンスパッタ装置。

IPC (3件)：

C23C 14/35 , C23C 14/08 , H01B 13/00 503

引用特許：

審査官引用 (9件)

スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-358027 出願人：日電アネルバ株式会社
スパッタリング方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-357124 出願人：ティーディーケイ株式会社
スパッタリング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-220818 出願人：日電アネルバ株式会社

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